J108 Datasheet PDF
1.1. mmbfj108.pdf Size:128K _update_mosfet
J108/J109/J110/MMBFJ108
N-Channel Switch
3
• This device is designed for digital switching
applications where very low on resistance is
mandatory.
2
• Sourced from Process 58.
TO-92
1 SuperSOT-3
1
Marking: I8
1. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings * TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG Drain-Gate Voltage 25
1.2. j108 j109 j110 1.pdf Size:45K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J108; J109; J110
N-channel silicon junction FETs
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110
FEATURES PINNING – TO-92
High speed switching
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Interchangeability of drain and
1.3. j108-j109-j110.pdf Size:34K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J108; J109; J110
N-channel silicon junction FETs
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110
FEATURES PINNING – TO-92
High speed switching
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Interchangeability of drain and
1.4. pmbfj108 pmbfj109 pmbfj110 cnv 2.pdf Size:32K _philips2
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ108;
PMBFJ109; PMBFJ110
N-channel junction FETs
April 1995
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
PMBFJ108;
N-channel junction FETs
PMBFJ109; PMBFJ110
FEATURES
High-speed switching
Interchangeability of drain and
source connections
Low RDSon at zero gate voltage
(
1.5. pmbfj108 pmbfj109 pmbfj110.pdf Size:46K _philips2
PMBFJ108; PMBFJ109;
PMBFJ110
N-channel junction FETs
Rev. 03 4 August 2004 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Symmetrical N-channel junction FETs in a SOT23 package.
1.2 Features
High-speed switching
Interchangeability of drain and source connections
Low RDSon at zero gate voltage (1.6. ssm3j108tu.pdf Size:147K _toshiba
SSM3J108TU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
SSM3J108TU
High Speed Switching Applications
• 1.8V drive
Unit: mm
• Low on-resistance: Ron = 363m? (max) (@VGS = -1.8 V)
Ron = 230m? (max) (@VGS = -2.5 V) 2.1±0.1
Ron = 158m? (max) (@VGS = -4.0 V)
1.7±0.1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
1
Characteristic Symbol Rating Unit
3
2
Drain-Source v
1.7. 2sj108.pdf Size:339K _toshiba
2SJ108
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ108
Low Noise Audio Amplifier Applications
Unit: mm
• Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head
amplifiers.
• High |Y |: |Y | = 22 mS (typ.)
fs fs
(V = -10 V, V = 0, I = -3 mA)
DS GS DSS
• Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.)
(V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz)
DS D
• High i
1.8. j108 j109 j110 mmbfj108.pdf Size:129K _fairchild_semi
J108/J109/J110/MMBFJ108
N-Channel Switch
3
This device is designed for digital switching
applications where very low on resistance is
mandatory.
2
Sourced from Process 58.
TO-92
1 SuperSOT-3
1
Marking: I8
1. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG Drain-Gate Voltage 25 V
VGS
1.9. j108 j109 j110 sst108 sst109 sst110.pdf Size:50K _vishay
J/SST108 Series
Vishay Siliconix
NChannel JFETs
J108 SST108
J109 SST109
J110 SST110
PRODUCT SUMMARY
Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)
J/SST108 3 to 10 8 20 4
J/SST109 2 to 6 12 20 4
J/SST110 0.5 to 4 18 20 4
FEATURES BENEFITS APPLICATIONS
D Low On-Resistance: J108
Справка по разделу Полная WHOIS информация по домену
WHOIS – сетевой протокол прикладного уровня, базирующийся на протоколе ТСР, предназначенный для получения публичной информации (регистрационных данных) о владельцах доменных имён, IP-адресов и автономных систем. Протокол используется для подачи автоматизированных запросов к публичным серверам WHOIS баз данных регистраторов, базам IP-адресов и регистраторов доменных имён. Доступ к информации, размещённой регистраторами в своих WHOIS-базах, при использовании пользователями технологического портала WHOIS.UANIC.NAME, формы подачи персонального запроса к информации, хранимой распределёнными WHOIS базами, обеспечивает пользователям нашего сервиса доступ в реальном времени к информации баз WHOIS, по индивидуальным, неавтоматизированным, запросам. Доступ к информации баз WHOIS через порт 43, позволяющий выполнять автоматизированные запросы, может быть предоставлен реселлерам UANIC в качестве дополнительного сервиса, по запросу.
Поиск полных контактных данных WHOIS владельца (регистранта) доменного имени, ответственного администратора доменного имени, технического и\или финансового контакта домена, а также первичной даты регистрации (делегирования домена), и ее истечения, серверах имен, и текущем статусе запрашиваемого домена, может быть бесплатно выполнен путём подачи пользователем запроса через форму поиска WHOIS информации, размещённую на данном сайте.
Базы данных WHOIS управляются в основном регистраторами и регистратурами. Отдел IANA корпорации ICANN управляет центральной регистратурой для всех видов интернет-ресурсов и указывает на сервер WHOIS ответственной (под)-регистратуры, а также на контактную информацию этой регистратуры, в случае, если она размещена публично. Существует полная и сокращённая форма предоставления регистраторами информации из WHOIS баз. Полнота и формат выдачи информации из WHOIS базы определяется отдельно каждым регистратором, на основании протокола RFC 3912.
Для получения информации пользователю необходимо указать в WHOIS-форме интересующее его доменное имя, и подать запрос, путём нажатия на кнопку WHOIS. Сведения, содержащиеся в базе WHOIS UANIC обновляются автоматически, кроме того, подлежат ручному обновлению с частотой не более 10 суток.
English version: https://whois.uanic.name/eng/vedic-horo.ru/
Гороскоп совместимости астрологический анализ по дате рождения бесплатно онлайн
Введите даты рождения интересующих Вас людей:
Гороскоп совместимости или же астрологическую совместимость двух человек, мужчины и женщины Вы можете узнать с помощью нашего бесплатного и анонимного астрологического скрипта. Для этого Вам надо ввести их даты рождения.
После того, как Вы нажмете кнопку «Рассчитать совместимость!», специальная программа проанализирует данные на основе расчета положения планет в даты рождения партнеров и даст краткое описание основных аспектов их отношений.
Этот анализ совместимости выполняется автоматически и учитывает далеко не все особенности отношений. Вы можете для более подробной информации обратиться ко мне за подробной, приватной, платной консультацией астролога.
Гороскоп совместимости — астрологический анализ совместимости партнеров
Рассматривая гороскоп совместимости (синастрию) двух человек, астролог обращает внимание в первую очередь на важнейшие для совместимости аспекты (соотношения) между планетами двух индивидуальных гороскопов. Для этого необходимо точно рассчитать положение планет в моменты рождения, и это делается с помощью специальных программ
Такие программы, основанные на точном математическом расчете движения планет, используются и на нашем сайте. Анализировать гороскоп совместимости полезно не только для романтических партнеров, любовников, или же планирующих брак мужчин и женщин.
Много полезной информации может дать и анализ совместимости деловых партнеров, будущих работников при найме на работу.
Совместимость знаков зодиака
Совместимость знаков зодиака определяется взаимным расположение Солнц. Самое лучшее положение Солнц в гороскопе совместимости — когда между Солнцами партнеров угловое расстояние 120 градусов, или же они являются представителями знаков одной стихии (например, Телец и Дева — земные, у этих знаков хорошая совместимость).
Так же не плохо, если между Солнцами расстояние 60 градусов (например так бывает у Скорпионов и Козерогов). Чем ближе угол к 120 или 60 — тем лучше, тем теснее будут переплетаться жизненные цели партнеров.
Аспекты 180 и 90 — дают напряженные отношения (например между Близнецами и Стрельцом 180, между Весами и Раком — 90) и хотя это тоже обеспечивает связь, между партнерами могут возникать разногласия. Соединение 0 градусов, нахождение в одном знаке — не плохо, но слишком однобоко.
Важно положение Лун относительно Солнц и друг друга. Здесь работают те же правила
Если есть связи между Солнцами и Лунам партнеров, это очень хороший показатель, существенно повышающий стабильность отношений и вероятность брака.
Совместимость по году рождения
Иногда меня спрашивают о том, как влияет на совместимость разница в возрасте. Здесь большую роль играет движение Юпитера, Сатурна и узлов Лунной орбиты. Юпитер проходит Зодиак за 12 лет, и что бы между Юпитерами партнеров был хороший аспект, разница в из возрасте должна быть 2, 4, 8, 10, 12 лет.
(и так далее — 14, 16 … ) Узлы также дают «хорошую разницу» в 3, 7, 13, 16, 19 лет, обеспечивая совместимость по годам рождения.
В случае разницы в 10 лет узлы находятся в противофазе и часто в такой ситуации люди с интересом и плотно общаются какое-то время, но затем или расходятся сами, или судьба разводит их.
«Любовный гороскоп»
Чаще всего люди интересуются гороскопом совместимости, что бы понять, будет ли между ними любовь и страсть. Для любви и романтики важны положение Венеры и Марса. Если Венера мужчины находится в соединении с Марсом женщины — в 90% случаев между ними возникает сильное романтическое чувство.
То же справделиво и для других точных аспектов между Венерой мужчины и Марсом женщины. Связи между Марсами, между Венерами и пр — так же важны для возникновения романтического чувства, но играют второстепенную роль. Сильная связь может возникнуть, если затронуты узлы Лунной орбиты, или же Лилит.
Вообще, анализ положения различных планет и точек в гороскопе совместимости позволяет ответить на много вопросов. Не только о романтических чувствах, но и то, насколько сексуально совместимы партнеры, ожидает ли пару социальный успех.
… Я настоятельно не рекомендую читателям заниматься анализом своих отношений самостоятельно. Здесь играет роль очень много факторов.
https://youtube.com/watch?v=60IyuP9M0Jo
Лучше всего обратиться к астрологу за построением гороскопа совместимости (синастрии) — поверьте, Вы на этом сэкономите массу времени, нервов и избежите многих разочарований
Или же наоборот, разглядите в человеке рядом что-то ценное и важное для Вас
J108 Datasheet PDF
1.1. mmbfj108.pdf Size:128K _update_mosfet
J108/J109/J110/MMBFJ108
N-Channel Switch
3
• This device is designed for digital switching
applications where very low on resistance is
mandatory.
2
• Sourced from Process 58.
TO-92
1 SuperSOT-3
1
Marking: I8
1. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings * TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG Drain-Gate Voltage 25
1.2. j108 j109 j110 1.pdf Size:45K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J108; J109; J110
N-channel silicon junction FETs
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110
FEATURES PINNING – TO-92
High speed switching
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Interchangeability of drain and
1.3. j108-j109-j110.pdf Size:34K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J108; J109; J110
N-channel silicon junction FETs
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110
FEATURES PINNING – TO-92
High speed switching
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Interchangeability of drain and
1.4. pmbfj108 pmbfj109 pmbfj110 cnv 2.pdf Size:32K _philips2
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ108;
PMBFJ109; PMBFJ110
N-channel junction FETs
April 1995
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
PMBFJ108;
N-channel junction FETs
PMBFJ109; PMBFJ110
FEATURES
High-speed switching
Interchangeability of drain and
source connections
Low RDSon at zero gate voltage
(
1.5. pmbfj108 pmbfj109 pmbfj110.pdf Size:46K _philips2
PMBFJ108; PMBFJ109;
PMBFJ110
N-channel junction FETs
Rev. 03 4 August 2004 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Symmetrical N-channel junction FETs in a SOT23 package.
1.2 Features
High-speed switching
Interchangeability of drain and source connections
Low RDSon at zero gate voltage (1.6. ssm3j108tu.pdf Size:147K _toshiba
SSM3J108TU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
SSM3J108TU
High Speed Switching Applications
• 1.8V drive
Unit: mm
• Low on-resistance: Ron = 363m? (max) (@VGS = -1.8 V)
Ron = 230m? (max) (@VGS = -2.5 V) 2.1±0.1
Ron = 158m? (max) (@VGS = -4.0 V)
1.7±0.1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
1
Characteristic Symbol Rating Unit
3
2
Drain-Source v
1.7. 2sj108.pdf Size:339K _toshiba
2SJ108
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ108
Low Noise Audio Amplifier Applications
Unit: mm
• Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head
amplifiers.
• High |Y |: |Y | = 22 mS (typ.)
fs fs
(V = -10 V, V = 0, I = -3 mA)
DS GS DSS
• Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.)
(V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz)
DS D
• High i
1.8. j108 j109 j110 mmbfj108.pdf Size:129K _fairchild_semi
J108/J109/J110/MMBFJ108
N-Channel Switch
3
This device is designed for digital switching
applications where very low on resistance is
mandatory.
2
Sourced from Process 58.
TO-92
1 SuperSOT-3
1
Marking: I8
1. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG Drain-Gate Voltage 25 V
VGS
1.9. j108 j109 j110 sst108 sst109 sst110.pdf Size:50K _vishay
J/SST108 Series
Vishay Siliconix
NChannel JFETs
J108 SST108
J109 SST109
J110 SST110
PRODUCT SUMMARY
Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)
J/SST108 3 to 10 8 20 4
J/SST109 2 to 6 12 20 4
J/SST110 0.5 to 4 18 20 4
FEATURES BENEFITS APPLICATIONS
D Low On-Resistance: J108
РаскладЧакры
Расклад предназначен для разбора сна и определения уровня (чакры), на котором он проявляется. Расклад ведется полной колодой (Старшие и Младшие Арканы вместе). Выкладываются семь карт, каждая из которых соответствует определенной чакре. Значимыми считаются только Старшие Арканы и, соответственно, чакры, на которых они расположены. 1 – Мулдахара – чакра (корневая). Ключевые слова: выживание, здоровье, основные жизненные потребности. Желания и препятствия: безопасность. Старший Аркан на этой чакре может свидетельствовать о недостатке жизненной энергии либо о скрыто протекающем заболевании, т.е. об опасности, угрожающей физическому или психическому здоровью человека. Следует вычленить образы из сна, соответствующие следующим чувствам: гнев, агрессия (направленная вовне или на себя), алчность, страх, уныние, а затем соотнести их с интерпретацией карты. 2 – Свадхистхана – чакра (сексуальная). Ключевые слова: инстинкт, желание, эмоциональность, воспроизведение, восприятие ощущений других людей. Свойства проявления в психофизиологическом плане: ограниченность сознания, отсутствие сострадания, желание разрушения, заблуждения, презрение, подозрительность. Желания и препятствия: сексуальность. Старший Аркан на этой чакре может означать, что в образах сна из подсознания вам явились ваши архаичные инстинкты, скрытые желания, осуществить которые наяву вы, как цивилизованный человек, не можете себе позволить (то есть разбираемый сон является компенсаторным). Следует вычленить образы из сна, соответствующие следующим понятиям: похоть, жестокость, леность, а затем соотнести их с интерпретацией карты. 3 – Манипура – чакра (солнечное сплетение). Ключевые слова: власть, сила, выносливость, цельность, самообеспечение. Свойства проявления в психофизиологическом плане: алчность, ревность, коварство, отсутствие совести, страх, ложь, глупость, заблуждение, жестокость. Желания и препятствия: бессмертие, власть, имя, слава. Старший Аркан на этой чакре может означать, что образы сна – это ваши субличности, взаимодействующие между собой и требующие внимания к результатам этого взаимодействия. Следует вычленить образы из сна, соответствующие следующим понятиям: жестокость, стремление подчинить, поработить, возвыситься, презрение, подозрительность, отсутствие сострадания, а затем соотнести их с интерпретацией карты. 4 – Анахата – чакра (сердечная). Ключевые слова: любовь, покорность, вера, стремление к единству, сострадание, вдохновение, творчество, надежда. Желания и препятствия: любовь, вера, преданность, долг. Старший Аркан на этой чакре может означать, что разбираемый сон может быть отражением ваших реальных взаимоотношений с другими людьми. Расшифровка послания сна поможет вам в обретении власти над своим “Я”, приведении в равновесие мужской и женской энергий. 5 – Вишудха – чакра (горловая). Ключевые слова: коммуникабельность, ум, память, восприятие внутреннего голоса, выражение энергии “Я”. Желания и препятствия: знание. Старший Аркан на этой чакре предлагает соотнести образы сновидения с чувствами, которые вы не можете (или не хотите) выразить, высказать. 6 – Аджна – чакра (Третий Глаз). Ключевые слова: визуализация, интуиция, экстрасенсорное восприятие, телепатия, духовное пробуждение, ясновидение. Желания и препятствия: осознание, аскетизм, интуиция. Старший Аркан на этой чакре может означать, что ваш сон – результат работы вашей интуиции, и стоит подумать о его предсказательном значении. 7 – Сахасрара – чакра (Чакра Короны). Ключевые слова: связь с космосом, контакт через космические энергии, единство со Вселенной, космическое сознание, проявление божественного, сверхсознание. Желания и препятствия: единство. Старший Аркан на этой чакре предлагает разобрать сон по методу К.-Г.Юнга, т.е. как продукт коллективного бессознательного. При этом следует найти архетипы, соответствующие образам сна.
Расклад: Frog
Колода: Таро Райдера Уайта (универсальное) Оригинальные значения карт идущие с колодой.
РаскладПрочтение чакр
Чакры – это энергетические центры, через которые мы втягиваем волны жизненной энергии из космоса. В то же время эти центры – это точки соединения, через которые мы поддерживаем контакт с другими людьми и нашим окружением на эфирном уровне. Чакры – это передающие и принимающие центры, через которые постоянно идет интенсивный перенос энергии. Прочитывая чакры с помощью карт Таро, мы можем видеть, как эти семь главных центров функционируют, какие силы имеются у них в наличии, где есть возмущения и как они проявляются. Последующие пункты дадут вам некоторые намеки для понимания этих семи главных чакр. Перемешайте карты и выложите лицом вниз по одной для каждой чакры. Вытаскивая каждую карту, концентрируйтесь на той области тела, где расположена соответствующая чакра. Переверните каждую карту, одну за другой и определите ее послание. 1 – Корневая Чакра: контакт с землей, с материальным. Миры: тело, здоровье, деньги, имущество, формы, цвета и т.д. Функция: выживание, основные жизненные потребности. Положение на теле: для женщин – промежность, для мужчин – копчик. 2 – Сексуальная Чакра: центр основной энергии, элемент Воды. Миры: сексуальность, инстинкт, привлечение, желание, эмоциональность, импульс. Функция: воспроизведение, восприятие ощущений других людей. Положение на теле: на ширине ладони под пупком. 3 – Солнечное Сплетение: элемент Огня. Миры: власть, сила, выносливость. Функция: самообеспечение. Положение на теле: область между пупком и диафрагмой. 4 – Сердечная Чакра: сердце, элемент Воздуха. Миры: любовь, покорность, вера, стремление к единству. Функция: союз через любовь. Положение на теле: середина груди на уровне сердца. 5 – Горловая Чакра: центр основной энергии, элемент Воды. Миры и функции: коммуникация, восприятие внутреннего голоса, выражение энергии “Я” (эго), яснослышание. Положение на теле: горло, под гортанью. 6 – Третий Глаз. Миры и функции: визуализация, интуиция, экстрасенсорное восприятие, телепатия, ясновидение, духовное пробуждение. Положение на теле: середина лба. 7 – Чакра Короны. Миры и функции: союз с космосом, контакт через космические энергии, единство со Вселенной, космическое сознание, проявление божественного. Положение на теле: макушка головы.
Расклад: Герд Циглер
Колода: Таро Райдера Уайта (универсальное) Оригинальные значения карт идущие с колодой.
J108 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: J108
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.08
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Выходная емкость (Cd): 15
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8
Ohm
Тип корпуса: TO92
J108
Datasheet (PDF)
1.1. mmbfj108.pdf Size:128K _update_mosfet
J108/J109/J110/MMBFJ108
N-Channel Switch
3
• This device is designed for digital switching
applications where very low on resistance is
mandatory.
2
• Sourced from Process 58.
TO-92
1 SuperSOT-3
1
Marking: I8
1. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings * TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG Drain-Gate Voltage 25
1.2. j108 j109 j110 1.pdf Size:45K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J108; J109; J110
N-channel silicon junction FETs
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110
FEATURES PINNING – TO-92
High speed switching
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Interchangeability of drain and
1.3. j108-j109-j110.pdf Size:34K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J108; J109; J110
N-channel silicon junction FETs
Product specification 1996 Jul 30
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
N-channel silicon junction FETs J108; J109; J110
FEATURES PINNING – TO-92
High speed switching
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Interchangeability of drain and
1.4. pmbfj108 pmbfj109 pmbfj110 cnv 2.pdf Size:32K _philips2
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ108;
PMBFJ109; PMBFJ110
N-channel junction FETs
April 1995
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors Product specification
PMBFJ108;
N-channel junction FETs
PMBFJ109; PMBFJ110
FEATURES
High-speed switching
Interchangeability of drain and
source connections
Low RDSon at zero gate voltage
(
1.5. pmbfj108 pmbfj109 pmbfj110.pdf Size:46K _philips2
PMBFJ108; PMBFJ109;
PMBFJ110
N-channel junction FETs
Rev. 03 4 August 2004 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Symmetrical N-channel junction FETs in a SOT23 package.
1.2 Features
High-speed switching
Interchangeability of drain and source connections
Low RDSon at zero gate voltage (1.6. ssm3j108tu.pdf Size:147K _toshiba
SSM3J108TU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
SSM3J108TU
High Speed Switching Applications
• 1.8V drive
Unit: mm
• Low on-resistance: Ron = 363m? (max) (@VGS = -1.8 V)
Ron = 230m? (max) (@VGS = -2.5 V) 2.1±0.1
Ron = 158m? (max) (@VGS = -4.0 V)
1.7±0.1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
1
Characteristic Symbol Rating Unit
3
2
Drain-Source v
1.7. 2sj108.pdf Size:339K _toshiba
2SJ108
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type
2SJ108
Low Noise Audio Amplifier Applications
Unit: mm
• Recommended for first stages of EQ amplifiers and MC head
amplifiers.
• High |Y |: |Y | = 22 mS (typ.)
fs fs
(V = -10 V, V = 0, I = -3 mA)
DS GS DSS
• Low noise: En = 0.95 nV/Hz1/2 (typ.)
(V = -10 V, I = -1 mA, f = 1 kHz)
DS D
• High i
1.8. j108 j109 j110 mmbfj108.pdf Size:129K _fairchild_semi
J108/J109/J110/MMBFJ108
N-Channel Switch
3
This device is designed for digital switching
applications where very low on resistance is
mandatory.
2
Sourced from Process 58.
TO-92
1 SuperSOT-3
1
Marking: I8
1. Drain 2. Source 3. Gate 1. Drain 2. Source 3. Gate
Absolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG Drain-Gate Voltage 25 V
VGS
1.9. j108 j109 j110 sst108 sst109 sst110.pdf Size:50K _vishay
J/SST108 Series
Vishay Siliconix
NChannel JFETs
J108 SST108
J109 SST109
J110 SST110
PRODUCT SUMMARY
Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)
J/SST108 3 to 10 8 20 4
J/SST109 2 to 6 12 20 4
J/SST110 0.5 to 4 18 20 4
FEATURES BENEFITS APPLICATIONS
D Low On-Resistance: J108
Другие MOSFET… IXTZ27N40MA
, IXTZ27N40MB
, IXTZ35N25MA
, IXTZ35N25MB
, IXTZ42N20MA
, IXTZ42N20MB
, IXTZ67N10MA
, IXTZ67N10MB
, IRFZ46N
, J109
, J110
, J111
, J112
, J113
, J211
, J212
, JANSR2N7272
.
